• Kapazität: 128 GB • Interner Datendurchsatz: 1500 MBps (lesen)/ 500 MBps (Schreiben) • Speichertyp: 3D TLC • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, Dynamic and Static Wear Leveling, Error Correction Code (ECC), Bad Block Management, 3D NAND Technology, Over Provision, Low Power Management, Adaptive Leistungsanpassung, S.M.A.R.T.

• Kapazität: 128 GB • Interner Datendurchsatz: 1800 MBps (lesen)/ 1500 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D triple-level cell (TLC) • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.

• Typ: Solid State Module, M.2 2280, M.2/M-Key PCIe 3.0 x4 • Geschwindigkeit: (L) 2100MB/s - (S) 1100MB/s • TBW: 150TB

• Typ: Solid State Module, M.2 2280, M.2/M-Key PCIe 3.0 x4 • Geschwindigkeit: (L) 2500MB/s - (S) 1100MB/s • Module: 3D-NAND TLC • TBW: 150TB

• Kapazität: 250 GB • Interner Datendurchsatz: 3200 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D TLC NAND Flash • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe)

• Kapazität: 256 GB • Interner Datendurchsatz: 1700 MBps (lesen)/ 1000MBps (Schreiben) • Speichertyp: 3D TLC • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, Dynamic and Static Wear Leveling, Error Correction Code (ECC), Bad Block Management, 3D NAND Technology, Over Provision, Low Power Management, Adaptive Leistungsanpassung, S.M.A.R.T.

• Kapazität: 256 GB • Interner Datendurchsatz: 1600 MBps (lesen)/ 800 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D triple-level cell (TLC) • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.

• Kapazität: 256 GB • Interner Datendurchsatz: 2000 MBps (lesen)/ 950 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D NAND Flash • Formfaktor: M.2 2230 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: S.M.A.R.T., Advanced Garbage Collection, LDPC Coding

• Kapazität: 256 GB • Interner Datendurchsatz: 3300 MBps (lesen)/ 1600 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D NAND Technology • Formfaktor: M.2 2242 • Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 (NVMe) • Merkmale: Advanced Garbage Collection, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.4, RAID Engine, S.M.A.R.T.

• Kapazität: 500 GB • Interner Datendurchsatz: 1900 MBps (lesen)/ 900 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: Quad-Level Cell (QLC) • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: Advanced Garbage Collection, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.

• Kapazität: 500 GB • Interner Datendurchsatz: 3800 MBps (lesen)/ 2800 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D NAND • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 4.0 x4 (NVMe) • Merkmale: Advanced Garbage Collection, SSD-Überwachung, DRAM-Cache, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.4, Thermomanagement, RAID Engine, Graphen-Kühltechnologie, 4-Kanal-Controller, S.M.A.R.T.

• Kapazität: 500 GB • Interner Datendurchsatz: 5300 MBps (lesen)/ 4600 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D NAND • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 4.0 x4 (NVMe)

• Kapazität: 512 GB • Interner Datendurchsatz: 1700 MBps (lesen)/ 1500MBps (Schreiben) • Speichertyp: 3D TLC • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, Dynamic and Static Wear Leveling, Error Correction Code (ECC), Bad Block Management, 3D NAND Technology, Over Provision, Low Power Management, Adaptive Leistungsanpassung, S.M.A.R.T.

• Kapazität: 512 GB • Interner Datendurchsatz: 1800 MBps (lesen)/ 1500 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D triple-level cell (TLC) • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.

• Kapazität: 512 GB • Interner Datendurchsatz: 1700 MBps (lesen)/ 1400 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D NAND Flash • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.

• Kapazität: 512 GB • Interner Datendurchsatz: 3500 MBps (lesen)/ 2800 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D triple-level cell (TLC) • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, AHCI

• Kapazität: 512 GB • Interner Datendurchsatz: 2000 MBps (lesen)/1100 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D NAND Flash • Formfaktor: M.2 2230 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: S.M.A.R.T., Advanced Garbage Collection, LDPC Coding

• Kapazität: 512 GB • Interner Datendurchsatz: 5000 MBps (lesen)/ 3500 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D NAND Technology • Formfaktor: M.2 2242 • Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 (NVMe) • Merkmale: Advanced Garbage Collection, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.4, RAID Engine, S.M.A.R.T.

• Kapazität: 1000GB • Interner Datendurchsatz: 1700 MBps (lesen)/ 1500MBps (Schreiben) • Speichertyp: 3D TLC • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, Dynamic and Static Wear Leveling, Error Correction Code (ECC), Bad Block Management, 3D NAND Technology, Over Provision, Low Power Management, Adaptive Leistungsanpassung, S.M.A.R.T.

• Typ: Solid State Module, M.2 2280, M.2/M-Key PCIe 5.0 x4 • Geschwindigkeit: (L) 14700MB/s - (S) 13300MB/s • Module: 3D-NAND TLC • TBW: 600TB • Cache: 1GB • Herstellergarantie: fünf Jahre oder bis Erreichen der TBW

• Typ: Solid State Module, M.2 2280, M.2/M-Key PCIe 5.0 x4 • Geschwindigkeit: (L) 14700MB/s - (S) 13300MB/s • Module: 3D-NAND TLC • TBW: 600TB • Cache: 1GB • Herstellergarantie: fünf Jahre oder bis Erreichen der TBW

• Typ: Solid State Module, M.2 2280, M.2 PCIe 5.0 x2 • Geschwindigkeit: (L) 7150MB/s - (S) 6300MB/s • Module: 3D-NAND TLC • TBW: 600TB

• Typ: Solid State Module, M.2 2280, M.2/M-Key PCIe 4.0 x4 • Geschwindigkeit: (L) 7450MB/s - (S) 6900MB/s • TBW: 600TB • Module: 3D-NAND TLC • TBW: 600TB • Cache: 1GB • Entwickelt für: Playstation 5 • Herstellergarantie: fünf Jahre oder bis Erreichen der TBW

• Typ: Solid State Module, M.2 2280, M.2/M-Key PCIe 4.0 x4 • Geschwindigkeit: (L) 7450MB/s - (S) 6900MB/s • Module: 3D-NAND TLC • TBW: 600TB • Cache: 1GB • Herstellergarantie: fünf Jahre oder bis Erreichen der TBW